IDT709089/79S/L
High-Speed 64/32K x 8 Synchronous Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of a Bank Select Pipelined Read (1,2)
t CYC2
CLK
t CH2
t CL2
t SA
t HA
ADDRESS (B1)
A 0
A 1
A 2
A 3
A 4
A 5
A 6
CE 0(B1)
t SC
t HC
t SC
t HC
t CD2
t CD2
t CKHZ
(3)
t CD2
DATA OUT(B1)
Q 0
t DC
Q 1
t DC
t CKLZ
(3)
Q 3
t CKHZ (3)
t SA
t HA
ADDRESS (B2)
A 0
A 1
A 2
A 3
A 4
A 5
A 6
t SC
t HC
CE 0(B2)
t SC
t HC
t CD2
t CKHZ
(3)
t CD2
DATA OUT(B2)
t CKLZ
(3)
Q 2
t CKLZ (3)
Q 4
3242 drw 09
Timing Waveform of a Bank Select Flow-Through Read (6,7)
t CYC1
CLK
t CH1
t CL1
t SA
t HA
ADDRESS (B1)
A 0
A 1
A 2
A 3
A 4
A 5
A 6
CE 0(B1)
t SC
t HC
t SC t HC
t CD1
t CD1
t CKHZ
(1)
t CD1
t CD1
DATA OUT(B1)
D 0
t DC
D 1
t DC
t CKLZ
(1)
D 3
t CKHZ (1)
t CKLZ
(1)
D 5
t SA
t HA
ADDRESS (B2)
A 0
A 1
A 2
A 3
A 4
A 5
A 6
t SC t HC
CE 0(B2)
t SC
t HC
t CD1
t CKHZ
(1)
t CD1
t CKHZ
(1)
DATA OUT(B2)
t CKLZ
(1)
D 2
t CKLZ
(1)
D 4
3242 drw 09a
NOTES:
1. B1 Represents Bank #1; B2 Represents Bank #2. Each Bank consists of one IDT709089/79 for this waveform, and are setup for depth expansion in this
example. ADDRESS (B1) = ADDRESS (B2) in this situation.
2. OE and ADS = V IL ; CE 1(B1) , CE 1(B2) , R/ W and CNTRST = V IH .
3. Transition is measured 0mV from Low or High-impedance voltage with the Output Test Load (Figure 2).
4. CE 0 and ADS = V IL ; CE 1 and CNTRST = V IH .
5. OE = V IL for the Right Port, which is being read from. OE = V IH for the Left Port, which is being written to.
6. If t CCS < maximum specified, then data from right port READ is not valid until the maximum specified for t CWDD .
If t CCS > maximum specified, then data from right port READ is not valid until t CCS + t CD1 . t CWDD does not apply in this case.
7. All timing is the same for both Left and Right ports. Port "A" may be either Left or Right port. Port "B" is the opposite of Port "A".
10
6.42
相关PDF资料
IDT709099L9PFI IC SRAM 1MBIT 9NS 100TQFP
IDT709149S10PFI IC SRAM 36KBIT 10NS 80TQFP
IDT70914S12PF IC SRAM 36KBIT 12NS 80TQFP
IDT709169L7BFI IC SRAM 144KBIT 7NS 100FBGA
IDT709279L9PFG IC SRAM 512KBIT 9NS 100TQFP
IDT709289L9PFI IC SRAM 1MBIT 9NS 100TQFP
IDT709359L7BFI IC SRAM 144KBIT 7NS 100FBGA
IDT709379L7PFG IC SRAM 576KBIT 7NS 100TQFP
相关代理商/技术参数
IDT709089L9PF8 功能描述:IC SRAM 512KBIT 9NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,同步 存储容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA(17x17) 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
IDT709089S12PF 功能描述:IC SRAM 512KBIT 12NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,同步 存储容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA(17x17) 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
IDT709089S12PF8 功能描述:IC SRAM 512KBIT 12NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,异步 存储容量:128K(8K x 16) 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP(14x14) 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF
IDT709089S15PF 功能描述:IC SRAM 512KBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,同步 存储容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA(17x17) 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
IDT709089S15PF8 功能描述:IC SRAM 512KBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,异步 存储容量:128K(8K x 16) 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP(14x14) 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF
IDT709089S15PFI 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:Synchronous SRAM, 64K x 8, 100 Pin, Plastic, QFP
IDT709089S9PF 功能描述:IC SRAM 512KBIT 9NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,同步 存储容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA(17x17) 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
IDT709089S9PF8 功能描述:IC SRAM 512KBIT 9NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,同步 存储容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA(17x17) 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8